Die SDRAMs AS4C1G8D3LA und AS4C512M16D3LA mit DDR (Double Data Rate)-Architektur liefern eine Geschwindigkeit von 10ns, extrem schnelle Datenraten von 1866Mbit/s und Taktraten von 933MHz. Sie werden mit einer +1,35V-Stromversorgung betrieben und sind abwärtskompatibel zu 1,5V. Die AS4C1G8D3LA verfügt über eine 8 Banks x 128M x 8 Konfiguration während die AS4C512M16D3LA eine 8 Banks x 64M x 16 Konfiguration aufweist.
Erhältlich sind die SDRAMs in den Temperaturbereichen Commercial (0°C bis +95°C), Industrial (-40°C bis +95°C) und Automotive (-40°C bis +105°C). Sie werden in 78-Ball und 96-Ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)-Packages angeboten und sind für Hauptspeicheranwendungen in Embedded- / Industriedesigns optimiert.
Die SDRAMs unterstützen die Burst-Typen Sequential und Interleave mit Lese- oder Schreib-Burst-Längen von 4 oder 8. Zudem verfügen die Speichermodule über eine integrierte Auto-Precharge-Funktion und einfach zu verwendende Refresh-Funktionen wie Auto- oder Self-Refresh.
