Dank einem minimalen Durchlasswiderstand (RDS(on)) bieten die BiC MOSFETs geringere Verluste bei einem guten Preis-Leistungs-Verhältnis. Zudem sorgen niedrige Wärmewiderstände zwischen Gehäuse und Kühlkörper (RthJC) für ein hervorragendes Temperaturverhalten, das eine geringere Vollladungs-Temperatur begünstigt. Eine niedrige Reverse-Recovery-Charge (Qrr) verbessert die Verlässlichkeit des Systems durch eine signifikante Verringerung von Spannungsspitzen. Maßnahmen zur Parallelisierung, wie Snubber-Glieder, sind so kaum mehr notwendig. Dadurch reduzieren sich sowohl die Entwicklungskosten als auch der Entwicklungsaufwand.
Die Auslegung der BiC MOSFETs auf 175°C ermöglicht Designs mit entweder mehr Leistung bei höherer Sperrschichttemperatur, oder längere Laufzeit bei gleicher Sperrschichttemperatur. Mit der Erhöhung der
Temperatur-Auslegung erreichen die Module außerdem eine 20-prozentige Steigerung in der Safe Operating Area (SOA).
Mit ihren Leistungsdaten zielen die BiC MOSFETs auf Anwendungsgebiete wie Server, Telekommunikationsanlagen, Elektrowerkzeuge, dreiphasige Wechselrichter, Niederspannungsantriebe und Audiogeräte der Klasse D ab. Das Infineon OptiMOS™ BiC Leistungs-MOSFET Portfolio umfasst Varianten von 60V bis 250V.
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