Mit ihrer Kombination aus einer niedrigen Gate-Ladung (Qg), einem optimierten Kapazitätsprofil, einem verbessertem Wirkungsgrad bei geringer Last und hohen Schaltfrequenzen setzen die MDmesh M6 Leistungs- MOSFETs einen neuen Maßstab für resonante Topologien. Neben einem guten Schaltverhalten für Hard-Switching weisen die MOSFETs auch ein verbessertes Soft-Switching dank optimierter Schwellenspannung auf. Sie eröffnen Entwicklern neue Möglichkeiten für Stromrichter mit hoher Effizienz und Leistungsdichte.
Die M6-Superjunction-Technologie von ST reduziert den Durchlasswiderstand (RDS (ON)) auf nur 0,036 Ohm und sorgt so für zusätzliche Effizienzgewinne und eine höhere Leistungsdichte in Applikationen wie Batterieladegeräten, Silver-Box-Modulen, Netzteilen, LED-Treibern, Telekommunikations- und Server-Stromversorgungen sowie Solar-Wechselrichtern.
Mit einer Durchbruchspannung von 600 bis 700 V sind die MDmesh M6 Leistungs-MOSFETs in einer Vielzahl von Gehäuseoptionen erhältlich, einschließlich TO-Leadless (TOLL) für ein effizientes Wärmemanagement.
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