Die MOSFETs in diskreten Gehäusen eignen sich ideal für Leistungsfaktorkorrekturschaltungen (PFC),
bidirektionale Topologien und DC-DC-Wandler oder DC-AC-Wechselrichter. Sie überzeugen zudem
durch eine ausgezeichnete Immunität gegen unerwünschte parasitäre Einschalteffekte und niedrigen
dynamischen Verlusten, selbst bei einer Null Volt Abschaltspannung in Brückentopologien.
Mittels CoolSiC™ Trench-Technologie wird ein flexibler Parametersatz ermöglicht, der für die
Implementierung anwendungsspezifischer Merkmale in das jeweilige Produktportfolio genutzt wird:
- Die 650 V CoolSiC™-MOSFETs bieten z. B. ein optimiertes Schaltverhalten bei hohen Strömen
und geringen Kapazitäten. Sie sind für industrielle Anwendungen wie Server, Telekommunikation
und Motorantriebe konzipiert. - Das 1200 V MOSFET-Sortiment ist sowohl für industrielle als auch für Automotive Anwendungen
wie On-Board-Ladegeräte/PFC, Hilfsinverter und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
geeignet. - Die Flyback-Typologie charakterisiert die 1700 V-Variante, die sie für den Einsatz in
Energiespeichersystemen, zum schnellen Aufladen von Elektrofahrzeugen für das
Leistungsmanagement (SMPS) und für Lösungen für Solarenergiesysteme prädestiniert.
Weniger bietet mehr
Infineon bietet mit den EiceDRIVER™ zudem eine Reihe ausgewählter Treiber-ICs, die die
Anforderungen der äußerst schnellen SiC-MOSFET-Schaltfunktion erfüllen. In der Kombination
ermöglichen die CoolSiC-Produkte einen verbesserten Wirkungsgrad und weniger Kühlaufwand,
Platz- und Gewichtseinsparungen, eine Verringerung der Teilezahl und erhöhte Systemzuverlässigkeit
mit längerer Lebensdauer bei geringeren Systemkosten.
Merkmale:
- Niedrige Bauelementekapazitäten
- Temperaturunabhängiges Schalten und geringe Leitungsverluste, insbesondere unter Teillastbedingungen
- Intrinsische Diode mit geringer Rückwärtserholungsladung
- Schwellenwertfreie On-State-Charakteristik; Schwellwertspannung Vth > 4 V
- Hervorragende Gateoxid-Zuverlässigkeit
- IGBT-kompatible Ansteuerung (+18 V)
- Kurzschluss- und Avalanche-Robustheit
- Betrieb mit höherer Frequenz
Weitere Informationen zu den CoolSiC™ MOSFETs von Infineon und eine direkte Bestellmöglichkeit finden Sie auch auf unserer e-Commerce-Plattform www.rutronik24.com.
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Hannah Metzner | Product Sales Manager Power
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