Geringerer Widerstand, weniger Platzbedarf, größere Avalanche-Festigkeit: PANJITs neue 30 V und 40 V LV-Automotive-MOSFETs jetzt bei Rutronik

11.12.2023 Product News

Rutronik nimmt die neuen 30 V und 40 V LV-Automotive-MOSFETs von PANJIT ins Portfolio. Die Feldeffekttransistoren mit fortschrittlichem Trench-Logic-Level sind so konzipiert, dass sie den RDS(ON) minimieren, gleichzeitig die Avalanche-Robustheit maximieren und den Platzbedarf optimieren. Sie sind AEC-Q101-qualifiziert und haben eine hohe Sperrschichttemperatur von +175 °C. Erhältlich ist die Produktreihe in einer Vielzahl von kompakten Gehäusen, darunter DFN3333 und DFN5060-8L. Die Produkte sind ideal für Power-Management-Funktionen, Infotainment, Öl- und Wasserpumpen, ADAS, Motorsteuerung und Sensoren. Sie sind die optimale Wahl für Automobilentwickler, die ihre Schaltungen vereinfachen und gleichzeitig die Leistung verbessern möchten. Die Automotive-MOSFETS sind unter www.rutronik24.com erhältlich.

PANJIT optimiert konstant die Leistung der Mittelspannungs-MOSFETs für eine effizientere Stromversorgung bei geringerem Energieverbrauch und bietet die Transistoren für die Automobilindustrie sowohl als Standard- als auch als Logic-Level-Bauteile an. Die 30 V und 40 V N-Kanal-Leistungs-MOSFETs verfügen über die fortschrittliche Trench-Technologie für eine hervorragende Leistungszahl (FOM - Ron x Qg), niedrigeren RDS(on) und geringeren Widerstand und liefern eine Sperrschichttemperatur von bis zu +175 °C. Zudem reduziert das neue Design Leitungs- und Schaltverluste und erhöht gleichzeitig die elektrische Leistung. Dafür stehen Standard-Level und Logic-Level zur Verfügung. Die Verwendung der neuen PANJIT-MOSFETs bietet Entwicklern klare Vorteile für ein optimiertes Schaltungsdesign.

Merkmale im Überblick:

  • AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
  • Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
  • Hervorragende Leistungskennzahl (FOM) zur Minimierung der Treiberverluste
  • Sperrschichttemperatur von +175 °C
  • Sparsames PCB-Layout

Anwendungsbeispiele:

  • Antrieb von Motoren
  • Öl- und Wasserpumpen
  • Infotainment
  • ADAS
  • Sensorik
  • Energieversorgung
  • Batteriemanagementsysteme

Übersicht der verfügbaren 30 V und 40 V LV-Automotive-MOSFETs:

Part Number

Package

VDS

VGS

ID

RDS(on)  Max. (mΩ)

Ciss typ.

VGS(th) Max.

Qg Typ. (nC)

V

±V

A

10 V

7 V

4.5 V

pF

V

10 V

PJQ4548P-AU

DFN3333-8L

40

20

43

9.1

-

12.5

778

2.3

13

PJQ4546P-AU

DFN3333-8L

40

20

64

5.6

-

7.9

1320

2.3

20

PJQ5548-AU

DFN5060-8L

40

20

48

8.8

-

12.1

778

2.3

13

PJQ5546-AU

DFN5060-8L

40

20

85

5.3

-

7.4

1320

2.3

20

PJQ5544-AU

DFN5060-8L

40

20

130

3.3

-

4.3

2851

2.3

41

PJQ5948-AU

DFN5060B-8L

40

20

37

12.3

-

15.7

778

2.3

13

PJD80N04S-AU

TO-252AA

40

20

190

2.1

-

2.6

4950

2.3

75

PJQ4548VP-AU

DFN3333-8L

40

20

40

10.4

-

-

673

3.5

9.5

PJQ4546VP-AU

DFN3333-8L

40

20

61

6.3

-

7.7

1283

3.5

23

PJQ5548V-AU

DFN5060-8L

40

20

45

10

12.4

-

673

3.5

9.5

PJQ5546V-AU

DFN5060-8L

40

20

79

5.9

7.3

-

1283

3.5

23

PJQ5544V-AU

DFN5060-8L

40

20

120

3.6

4.6

-

2544

3.5

34

PJQ5542V-AU

DFN5060-8L

40

20

136

3

3.6

-

3050

3.5

43


Weitere Informationen zu den 30 V und 40 V MV-Automotive MOSFETs von PANJIT und eine direkte Bestellmöglichkeit finden Sie auch auf unserer e-Commerce-Plattform www.rutronik24.com.

Kontakt Rutronik:

Leonardo Sarcone  |  Senior Manager Product Marketing Standard Products  |   +49 7231 801 1712  |  leonardo.sarcone@rutronik.com

Neues Design für mehr Leistung, reduzierte Leitungs- und Schaltverluste: Die neuen Automotive-MOSFETs von PANJIT.