Dank hochdichter DRAM-Kerne mit SRAM-Schnittstellen und On-Chip-Aktualisierungsschaltungen für einen aktualisierungsfreien Betrieb bieten die PSRAMs eine hohe Bandbreite sowie geringen Stromverbrauch. Damit können sie beispielsweise SRAMs in tragbaren elektronischen Geräten wie Mobiltelefonen und PDAs ersetzen oder als Begleitchips für NOR-Flash-Anwendungen dienen. Die PSRAMs sind somit ideal für Anwendungen in den Bereichen Wireless, Automotive, Netzwerke und Industrial geeignet.
Die Schnittstellen der Modelle AS1C1M16PL-70BIN, AS1C1M16P-70BIN, AS1C2M16P-70BIN, AS1C512K16PL-70BIN und AS1C512K16P-70BIN sind kompatibel mit asynchronen SRAMs. Für eine größere Bandbreite besitzen die Versionen AS1C4M16PL-70BIN und AS1C8M16PL-70BIN CellularRAM PSRAMs über einen gemultiplexten Adress-/Datenbus. Alle Speichermodelle unterstützen asynchronen sowie Burst-Betrieb und verfügen über Lese- und Schreibburstlängen von 4, 8, 16 oder 32 Wörtern oder kontinuierlichen Burst.
Die in industriellen Temperaturbereichen (-30°C bzw. -40°C bis +85°C) verfügbaren PSRAMs bieten schnelle Zugriffsgeschwindigkeiten von 70ns und arbeiten mit einer einzigen Stromversorgung von 1,7V bis 1,95V oder 2,6V bis 3,3V. Weitere Energiesparfunktionen sind die automatische temperaturkompensierte Selbstauffrischung (ATCSR), die partielle Selbstauffrischung von Arrays (PASR) und ein Deep Power Down (DPD) Modus. Das 48-Ball-FPBGA-Gehäuse hat Abmessungen von 6,0mm x 7,0mm x 1,0mm, das 49-Ball-FPBGA-Gehäuse misst 4,0mm x 4,0mm x 1,0mm.
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