Das Hauptmerkmal des Source-Down-Gehäusekonzepts ist die Ausrichtung der aktiven Seite des Siliziumchips auf die Unterseite des Bauteils. In Kombination mit dem verstärkten Clip auf der Oberseite des Siliziumchips werden parasitäre Effekte deutlich reduziert und gleichzeitig die thermische Leistung auf die nächste Stufe gehoben. Modernste Siliziumtechnologie mit hervorragender FOM und maximiertem Chip / Gehäuse-Verhältnis erhöht die Strombelastbarkeit und sorgt für minimierte Leistungsverluste. Infineons OptiMOS™ Power-MOSFETs ermöglichen schnelles Schalten und verringern die Notwendigkeit von Parallelschaltungen von Bauteilen.
Wichtige Funktionen im Überblick:
- Minimierte Leitungsverluste
- Reduzierte Spannungsüberschwinger
- Erhöhte maximale Strombelastbarkeit
- Schnelles Schalten
- Weniger Parallelschaltung von Bauteilen erforderlich
Anwendungsbeispiele:
- Robotik
- Solaranwendungen
- Telekommunikation
- Niederspannungsantriebe
- Leichte Elektrofahrzeuge
- Drohnen
- Elektrische Werkzeuge
- Batterie-Management-System
- Klasse-D-Audio-Anwendungen
Weitere Informationen zu OptiMOS™ Power MOSFETs von Infineon und eine direkte Bestellmöglichkeit finden Sie auch auf unserer e-Commerce-Plattform www.rutronik24.com.
Ansprechpartner Rutronik
Hannah Metzner | Corporate Product Manager Power | +49 7231 801 1551 | hannah.metzner@rutronik.com
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