KW09 - Infineon 2ED4820-EM

28.02.2022 Product News

Intelligenter 48-V-High-Side-MOSFET-Gate-Treiber mit SPI für Automobilanwendungen

Der EiceDRIVER™ 2ED4820-EM ist ein intelligenter High-Side-N-Kanal-MOSFET-Gate-Treiber mit zwei über SPI gesteuerten Ausgängen. Die integrierte leistungsstarke Ladungspumpe ermöglicht es, dass externe MOSFETs kontinuierlich eingeschaltet bleiben. Dank der verbesserten Ein- und Ausschaltfähigkeit des Treibers lässt sich die Anzahl der MOSFETs leicht skalieren, um große Ströme in der Größenordnung von mehreren hundert Ampere zu bewältigen und gleichzeitig ein schnelles Ein- und Ausschalten zu gewährleisten. Die MOSFETs können in einer Back-to-Back-Konfiguration entweder im Gleichtakt oder mit gemeinsamer Quelle gesteuert werden.

Der integrierte Strommessverstärker unterstützt die High-Side- und sogar die Low-Side-Strommessung mit einem speziellen Überwachungsausgang. Der 2ED4820-EM verfügt über mehrere Latching-Fehlererkennungen, um Schutzmaßnahmen für die externen MOSFETs, die Last und die Stromquelle zu implementieren. Die Parameter können über SPI eingestellt werden; Überwachungsdaten, Konfigurations-, Warn- und Fehlererkennungsregister können gelesen werden.

Zusammenfassung der Merkmale

  • Erweiterter Versorgungsspannungsbereich: 20 - 70 V
  • Zwei unabhängige High-Side-Gate-Treiberausgänge mit 1 A Pull-down, 0,3 A Pull-up für schnelles Aus-/Einschalten
  • Niedriger Versorgungsstrom im Sleep-Modus IBAT_Q < 5 µA
  • Gerätesteuerung, Konfiguration und Diagnose über SPI
  • Konfigurierbarer Überstrom-/Kurzschluss-Schutz
  • Konfigurierbarer Drain-Source-Überspannungsschutz
  • Gate-Unterspannungsabschaltung (VGS)
  • Erkennung von Masseverlusten
  • AEC-Q100-Qualifizierung
  • Bleifrei, halogenfrei, RoHS-konform
  • Back2Back MOSFET-Unterstützung
  • SPI-Schnittstelle
  • Stromabtastung

Vorteile

  • Unterstützt Back-to-Back-MOSFET-Topologien (Common Drain oder Common Source)
  • SAFESTATEN-Eingang zum Auslösen des Safe-State-Modus im Falle eines µC-Ausfalls
  • Eine bidirektionale High-Side- oder Low-Side-Analogstrommessschnittstelle mit konfigurierbarer Verstärkung zur Optimierung der Leistungsverluste
  • Robust gegen Vbat-Spannungen bis zu 105 V und Vsource-Spannungen gegen Vbat von -90 V


Mögliche Anwendungen

  • Batterieschutzschalter
  • Eingangsschutzschalter
  • Statischer Last- und Versorgungsschalter für hohe Ströme


Vorteil im Wettbewerb

  • Hervorragende Robustheit gegen Über- und Unterspannung im 48-V-Bordnetz
  • Fähigkeit, einen Lade- und Entladepfad unabhängig voneinander zu verwalten und gleichzeitig einen zusätzlichen Vorladepfad für kapazitive Lasten zu unterstützen
  • Bietet eine Low-Side-Shunt-Messung