Vishay Intertechnology stellt zwei neue n-Kanal-TrenchFET®-MOSFETs im platzsparenden PowerPAK 8x8L-Gehäuse mit Bonddraht und Gullwing-Anschlüssen vor. Die 60-V-SiJH600E- und 80-V-SiJH800E-Bausteine wurden entwickelt, um die Leistungsdichte, den Wirkungsgrad und die Zuverlässigkeit auf Leiterplattenebene in Telekommunikations- und Industrieanwendungen zu erhöhen.
- Das PowerPAK 8x8L-Gehäuse der Bausteine ist 60 % kleiner und 57 % dünner als das des D2PAK
- Um Platz auf der Leiterplatte zu sparen, kann jeder MOSFET anstelle von zwei PowerPAK SO-8-Bausteinen parallel verwendet werden.
- Die Gullwing-Anschlüsse der MOSFETs sorgen für eine mechanische Entlastung und damit für eine erhöhte Zuverlässigkeit auf Leiterplattenebene
- Der On-Widerstand des SiJH600E und des SiJH800E ist um 54 % bzw. 52 % niedriger als der von PowerPAK SO-8-Bausteinen der gleichen Generation
- Der Wärmewiderstand von 0,36(°C/W) ist 60 % niedriger als beim PowerPAK SO-8
Produktvorteile:
- Erhöhte Leistungsdichte:
- Kompaktes PowerPAK® 8x8L-Gehäuse
- Kontinuierlicher Drainstrom von 373A (SiJH600E) und 288A (SiJH800E)
- Erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit:
- Hochtemperaturbetrieb bis +175°C
- Gullwing-Anschlüsse
- Extrem niedriger Einschaltwiderstand von typisch 0,65mΩ (SiJH600E) und 1,22mΩ (SiJH800E) bei 10VGS spart Energie durch Minimierung der Leitungsverluste
- Bleifrei (Pb), halogenfrei und RoHS-konform
- 100 % Rg und UIS-geprüft
Marktanwendungen:
Synchrongleichrichtung in Stromversorgungen, Motorantriebssteuerung, Batteriemanagement, Elektrowerkzeugen und Industrieanlagen.
