Das CIPOS Maxi SiC IPM verfügt über einen verbesserten, auf der Silicon-on-Isolator-(SOI)-Technologie basierenden 6-Kanal 1200 V Gate-Treiber und sechs CoolSiC™ MOSFETs, was die Zuverlässigkeit des Systems erhöht.
Ausgezeichnete Performance bei kleinster Größe
Das DIP 36x23D ist das kleinste Gehäuse für 1200-V-IPMs. Dabei verfügt das IPM über eine besonders hohe Leistungsdichte in dieser Spannungsklasse. Durch diese Kombination erfüllt das CIPOS Maxi SiC IPM die EMI-Anforderungen, bietet Überlastschutz selbst anspruchsvoller Designs, ist äußerst flexibel einsetzbar und hilft dabei Systemkosten zu senken.
Umfassende Schutzmaßnahmen
Schäden durch Transienten vermeidet der widerstandsfähige 6-Kanal-SOI-Gate-Treiber des SiC-Leistungsmoduls dank einer integrierten Totzeit. Zusätzlicher Unterspannungsschutz (UVLO) an allen Kanälen sowie Schutzfunktionen gegen Überstromabschaltung runden die Sicherheitsvorkehrungen ab. Ergänzt werden diese durch einen unabhängigen UL-zertifizierten Thermistor zur Temperaturüberwachung.
Besonders nutzerfreundlich dank simplem Aufbau, Evaluation und Controller Boards
Das IPM überzeugt zudem durch eine simple Steuerung, bei der die Pins der Low-Side-Emitter für die Phasenstromüberwachung zugänglich sind. Ergänzend kommen eine programmierbare Fehlerlöschzeit und ein Freigabeeingang hinzu. Dank der genau abgestimmten Evaluation und Controller Boards lassen sich zudem Handling und Entwicklungszeit spürbar optimieren.
Weitere Informationen zu den intelligenten Leistungsmodulen aus der Infineon CIPOS™ Maxi SiC IPM IM828-Serie und eine direkte Bestellmöglichkeit finden Sie auch auf unserer e-Commerce-Plattform www.rutronik24.com.
www.rutronik24.com/search-result/qs:POWMOD1050%20TOOL4198%20POWMOD1125/reset:0
Ansprechpartner & Kontakt Rutronik:
Mirko Vogelmann, Product Sales Manager Power
+49 7231 801 4542 | mirko.vogelmann@rutronik.com