Die MOSFETs zeichnen sich bei nominal 105 A und 65 V insbesondere durch ihren niedrigen Durchlasswiderstand, die schnellen Schaltzeiten und den sehr niedrigen thermischen Widerstand aus. Sie verfügen über eine geringe Gate-Schwellenspannung, die eine Ansteuerung auf Logikniveau ermöglicht und überzeugen mit ihrem verbesserten Gesamtwirkungsgrad, indem aufgrund sehr geringer Gate- und Ausgangsladung Leistungsverluste verringert wurden.
Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind in einem flachen Power-QFN-Gehäuse verfügbar und wiegen etwa 0,1 g. Zudem sind sie sehr robust, RoHS-konform und AEC-Q101-qualifiziert.
Merkmale im Überblick:
- Niedriger Durchlasswiderstand
- Schnelle Schaltzeiten
- Niedrige Gate-Ladung
- Geringer thermischer Widerstand
- RoHS-konform
- Konform mit REACH und Konfliktmineralien (Conflict Minerals)
- Kompaktes Design
- Avalanche-Charakteristik
Anwendungsbeispiele:
- DC-Antriebe
- Elektrowerkzeuge
- Batterieladegeräte
- DC-DC-Wandler
- Stromversorgungen
- Synchrongleichrichter
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