Fujitsus neuer FRAM ist in der Lage, sowohl einen SRAM als auch die dazugehörige Backup-Batterie zu ersetzen. Dadurch können Hersteller nicht nur kompaktere Designs entwickeln, sondern auch Kosten für Bauteile und Wartung einsparen. Im Vergleich zu einem SRAM in einem 44-Pin TSOP-Gehäuse benötigt der MB85R8M2T rund 90% weniger Montagefläche.
Mit über zehn Billionen garantierten Schreib- und Lesezyklen ist der MB85R8M2T deutlich länger haltbar als nichtflüchtige Speicher-EEPROMs von anderen Anbietern. Damit eignet sich der FRAM besonders für industrielle Anwendungen, die häufiges Daten-Rewriting erfordern, beispielsweise Echtzeit-Datenerfassung und 3D-Positionsdatenerfassung.
Durch den weiten Versorgungsspannungsbereich von 1,8V bis 3,6V und die SRAM-kompatible parallele Schnittstelle lässt sich der FRAM flexibel in Designs integrieren.
Der MB85R8M2T ist in einem 48-Pin FBGA-Gehäuse mit den Abmessungen 8,00 x 6,00mm bereits in der Massenproduktion, Muster können bei Rutronik jederzeit angefragt werden.
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