Hohe Schaltgeschwindigkeit und geringer Widerstand: Rutronik führt XSemi Leistungs-MOSFETs von YAGEO im Sortiment

27.02.2025 Product News

Teil des Rutronik Portfolios für Leistungstransistoren sind die Leistungs-MOSFETs von YAGEO XSemi. Sie zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeiten für verschiedene Anwendungen aus, darunter analoge und digitale Schaltungen. Neben ihrer Effizienz und Kosteneffektivität überzeugen die XSemi Mosfets durch verschiedene Gehäuseformen, was Entwicklern bei der Erfüllung individueller Applikationsanforderungen unterstützt. Sie werden häufig für kommerzielle und industrielle Anwendungen zur Oberflächenmontage verwendet. Die Leistungs-MOSFETs sind als Hochvolt- sowie Niedervoltoptionen unter www.rutronik24.com erhältlich.

Spezifikationen der Kanaltypen im Überblick:

N-Channel
- 20 V bis 800 V Drain-Source-Spannung
- Bis zu 300 A Ableitstrom, VGS bei 10 V
P-Channel
- 20 V bis 700 V Drain-Source-Spannung
- Bis zu 300 A Ableitstrom
Dual N-Channel
- 100 V Drain-Source-Spannung
- Bis zu 2,1 A Ableitstrom
Asymmetrischer N-Channel
- 30 V Drain-Source-Spannung
- Bis zu 85 A Ableitstrom
Komplementäre N- und P-Channel
- 16 V, 30 V und 100 V Drain-Source-Spannung
- Bis zu 12 A Ableitstrom
Weitere Features:
SMD-Gehäuse (TO-22, -25, -26 und SOT-23)
RoHS-konform und halogenfrei
Geringe Gate-Ladung
Maximale Betriebstemperatur von +150 °C
Beispielanwendung:
Anwendungen mit niedriger Spannung
Schaltnetzteile
Gewerbliche und industrielle Anwendungen für die Oberflächenmontage
Telekommunikationssysteme
Verbraucherelektronik

Weitere Informationen zu den XSemi-MOSFETs von YAGEO und eine direkte Bestellmöglichkeit finden Sie auch auf unserer e-Commerce-Plattform www.rutronik24.com.

Ansprechparter Rutronik:

Hannah Metzner | Team Leader Corporate Product Marketing Power | +49 7231 801 1551 | hannah.metzner@rutronik.com