Die Komponenten überzeugen durch ihren besonders niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(ON)) und können somit eine Effizienzsteigerung von 0,1 % gegenüber der C7-Version und sogar 0,17 % gegenüber P7 verzeichnen. Der optimierte RDS(on) ermöglicht zudem eine höhere Leistungsdichte, dadurch ist es möglich Produkte in einer siliziumbasierten Superjunction (SJ)-Technologie auf einen einstelligen Wert von 7 mΩ zu minimieren.
Als MOSFETs stellen sie mit einem zwischen 14 % und 42 % niedrigeren thermischen Widerstand (Rth), einer geringen Klingelneigung und der vereinfachten Bedien- und Integrierbarkeit eine Innovation auf Systemebene dar.
Benefits auf einen Blick:
- Optimierter RDSon
- Integrierte schnelle Body-Diode
- Robuste Kommutierung
- Fortschrittliche Verbindungstechnologie
- Gehäuse mit Oberseitenkühlung
- Geringes unerwünschtes Oszillieren
- 14 - 42% niedrigerer Rth
- Vereinfachtes Portfolio
- Innovation auf Systemebene
Anwendungsbeispiele:
- Automotive
- EV-Charging, Solar- und Energiespeichersysteme
- Endverbrauchergeräte:
- Klimaanlagen für Wohngebäude
- Kühlschrankkompressoren
- Ladegeräte, Adapter
- Netzwerke und Telekommunikation:
- Server
- Industrie
- USV-Anlagen
- Industrielle SMPS
- Relais, Schutzschalter
- Beleuchtung
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Kontakt Rutronik:
| Hannah Metzner | Team Leader Corporate Product Marketing Power | +49 7231 801-1551 | hannah.metzner@rutronik.com |
