650V Gen 3 SiC Schottky Diode von Vishay bei Rutronik

09.11.2023 Product News

Das Dioden-Sortiment von Rutronik wird ab sofort um die 650 V SiC-Dioden der 3. Generation im Merged-PIN-Schottky (MPS)-Design und 4 A – 40 A von Vishay erweitert. Sie zeichnen sich durch eine ausgezeichnete Widerstandsfähigkeit gegenüber Stromstößen, eine bessere Effizienz durch geringere Vorwärtsspannung und eine niedrige kapazitive Ladung aus. Dabei arbeiten sie hochzuverlässig haben einen HTRB (Higher Temperature Reverse Bias) -Test von 2000 Stunden sowie einen Temperaturwechseltest von 2000 thermischen Zyklen bestanden. Das entspricht der doppelten Anzahl von Prüfstunden und -zyklen der AEC-Q101-Anforderungen. Typische Anwendungen sind Schaltnetzteile, sowie AC/DC-PFC und DC/DC-Ultrahochfrequenz-Ausgangsgleichrichtung in FBPS- und LLC-Wandlern für Energieerzeugungs- und Forschungsanwendungen. Die Dioden sind in TO-220AC 2L und TO-247AD 3L Durchsteck-Gehäusen, sowie in D2PAK 2L (TO-263AB 2L) oberflächenmontierbaren Gehäusen unter www.rutronik24.com erhältlich.

Im Vergleich zu Siliziumdioden mit vergleichbarer Durchbruchspannung bieten die SiC-Bauelemente eine höhere Wärmeleitfähigkeit, einen geringeren Sperrstrom und kürzere Erholzeiten in Sperrrichtung, die zudem nahezu temperaturunabhängig sind. Dies ermöglicht den Betrieb bei Temperaturen von bis zu +175 °C, ohne dass die Leistungseffizienz durch Schaltverluste beeinträchtigt wird.

Das MPS-Design (Merged PIN Schottky-Design) bietet eine hervorragende Robustheit gegenüber Stromstößen und ist mit sehr niedrigem Vorwärtsspannungsabfall von bis zu 1,46 V, einer geringen kapazitiven Ladung von bis zu 12 nC und geringem Rückwärts-Leckstrom von bis zu 1,3 µA ausgesprochen effizient. Die Dioden wurden für hohe Leistung und Widerstandsfähigkeit entwickelt und erfüllen MSL-1 gemäß J-STD-020 mit einer maximalen Spitzentemperatur von +245 °C – ideal für Hochgeschwindigkeits-Hartschaltung und zuverlässigen Betrieb über einen weiten Temperaturbereich. Die 650 V Gen 3 Power Merged SiC-Schottky Dioden sind halogenfrei und RoHS-konform.

Zusätzliche Vorteile:

Schottky-Technologie auf SiC-Wide Bandgab-Material
Positiver VF und mehr Effizienz durch dünne Wafer
Temperaturinvariantes Schaltverhalten
Erfüllt JESD 201 Klasse 1A Whisker-Test-Anforderungen

Typische Anwendungsbeispiele:

AC/DC PFC und DC/DC Ultra-Hochfrequenz-Ausgangsgleichrichtung in FBPS- und LLC-Wandlern für

Server
Telekommunikationsgeräte
USV
Solarwechselrichter

Übersicht:

Part #	IF(AV) (A)	IFSM (A)	VF at IF (V)	QC (nC)	Configuration	Package
VS-3C04ET07S2L-M3	4	29	1.5	12	Single	D2PAK 2L
VS-3C06ET07S2L-M3	6	42	1.5	17	Single	D2PAK 2L
VS-3C08ET07S2L-M3	8	54	1.5	22	Single	D2PAK 2L
VS-3C10ET07S2L-M3	10	60	1.46	29	Single	D2PAK 2L
VS-3C12ET07S2L-M3	12	83	1.5	34	Single	D2PAK 2L
VS-3C16ET07S2L-M3	16	104	1.5	44	Single	D2PAK 2L
VS-3C20ET07S2L-M3	20	110	1.5	53	Single	D2PAK 2L
VS-3C04ET07T-M3	4	29	1.5	12	Single	TO-220AC 2L
VS-3C06ET07T-M3	6	42	1.5	17	Single	TO-220AC 2L
VS-3C08ET07T-M3	8	54	1.5	22	Single	TO-220AC 2L
VS-3C10ET07T-M3	10	60	1.46	29	Single	TO-220AC 2L
VS-3C12ET07T-M3	12	83	1.5	34	Single	TO-220AC 2L
VS-3C16ET07T-M3	16	104	1.5	44	Single	TO-220AC 2L
VS-3C20ET07T-M3	20	110	1.5	53	Single	TO-220AC 2L
VS-3C16CP07L-M3	2 x 8	54	1.5	22	Common cathode	TO-247AD 3L
VS-3C20CP07L-M3	2 x 10	60	1.46	29	Common cathode	TO-247AD 3L
VS-3C40CP07L-M3	2 x 20	110	1.5	53	Common cathode	TO-247AD 3L

For more information to the 650 V Gen 3 Power Merged Schottky diodes from Vishay and a direct ordering option, please visit our e-commerce platform at www.rutronik24.com.

Contact Rutronik:
Hannah Metzner | Corporate Product Manager Power | +49 7231 801 1514 | hannah.metzner@rutronik.com

Schnelles Schalten und niedriger Spannungsabfall: Die 650 V Gen 3 Power Merged Schottky Diode von Vishay.

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Überzeugende Robustheit, höhere Zuverlässigkeit und bessere Effizienz: 650 V Gen 3 Power Merged PIN SiC-Schottky Diode von Vishay – bei Rutronik