Rutronik News
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Verbessern Wirkungsgrad und Zuverlässigkeit bei Schaltnetzteilen: Vishays 1.200 V-SiC-Schottky-Dioden der 3. Generation - bei Rutronik

05.12.2024 Product News

Die 1.200 V SiC-Schottky-Dioden der 3. Generation (5 A – 40 A) mit MPS-Design von Vishay Intertechnology erweitern das Dioden-Portfolio von Rutronik. Die Dioden erhöhen die Effizienz und Zuverlässigkeit von Schaltnetzteil-Designs und punkten mit hoher Stoßstromfestigkeit, geringer Vorwärtsspannung, niedriger kapazitiver Last und niedrigem Sperrstrom für weniger Leistungsverluste. Die Komponenten haben zudem praktisch keine Erholungsphase, was die Effizienz zusätzlich erhöht. Die Dioden sind besonders robust und ideal für den Einsatz in AC/DC-PFC und DC/DC-Ultrahochfrequenz-Ausgangsgleichrichtung in FBPS- und LLC-Wandlern. Sie sind unter www.rutronik24.com erhältlich.

Die Dioden haben einen HTRB-Test (Higher Temperature Reverse Bias) von 2.000 Stunden und die Temperaturwechseltest von 2.000 thermischen Zyklen bestanden und überzeugen mit zuverlässiger Leistung bei bis zu +175 °C Betriebstemperatur. Sie sind in die Gehäusetypen TO-220AC 2L, TO-220AC 2L und TO-247AD 3L für die Durchsteckmontage bzw. D2PAK 2L (TO-263AB 2L) für die Oberflächenmontage verbaut und mit 5 A bis 40 A verfügbar. Das D2PAK 2L-Gehäuse besteht aus Vergussmasse mit einem CTI ³ 600 für eine hervorragende elektrische Isolierung auch bei hohen Spannungen. Die MPS-Struktur der Geräte, mit einer durch Laserhärtung verdünnten Rückseite, reduziert den Spannungsabfall in Durchlassrichtung.

Zusätzliche Benefits:

  • Geringe kapazitive Ladung von bis zu 28 nC
  • Reduzierter Vorwärtsspannungsabfall VF 1,35 V
  • Durchlassströme bis 260 A
  • Wiederkehrende Spitzensperrspannung VRRM von1.200 V
  • Geringer Sperrstrom: max. 0,3 µA bei 25 °C
  • Betriebstemperaturen von bis zu +175 °C
  • RoHS-konform und halogenfrei

Typische Anwendungen auf einen Blick:

  • Energieerzeugungs- und Explorationsanwendungen, wie
    • Solar-Wechselrichter
    • Energiespeichersysteme
    • Industrielle Antriebe und Werkzeuge
    • Rechenzentren

Spezifikationsübersicht:

Bauteil-Nr.

IF(AV) (A)

IFSM (A)

VF bei IF (V)

QC (nC)

Konfiguration

Gehäuse

VS-3C05ET12T-M3

5

42

1,35

28

Single

TO-220AC 2L

VS-3C10ET12T-M3

10

84

1,35

55

Single

TO-220AC 2L

VS-3C15ET12T-M3

15

110

1,35

81

Single

TO-220AC 2L

VS-3C20ET12T-M3

20

180

1,35

107

Single

TO-220AC 2L

VS-3C05ET12S2L-M3

5

42

1,35

28

Single

D2PAK 2L

VS-3C10ET12S2L-M3

10

84

1,35

55

Single

D2PAK 2L

VS-3C15ET12S2L-M3

15

110

1,35

81

Single

D2PAK 2L

VS-3C20ET12S2L-M3

20

180

1,35

107

Single

D2PAK 2L

VS-3C10EP12L-M3

10

84

1,35

55

Single

TO-247AD 2L

VS-3C15EP12L-M3

15

110

1,35

81

Single

TO-247AD 2L

VS-3C20EP12L-M3

20

180

1,35

107

Single

TO-247AD 2L

VS-3C30EP12L-M3

30

260

1,35

182

Single

TO-247AD 2L

VS-3C10CP12L-M3

2 x 5

42

1,35

28

Gemeinsame Kathode

TO-247AD 3L

VS-3C20CP12L-M3

2 x 10

84

1,35

55

Gemeinsame Kathode

TO-247AD 3L

VS-3C30CP12L-M3

2 x 15

110

1,35

81

Gemeinsame Kathode

TO-247AD 3L

VS-3C40CP12L-M3

2 x 20

180

1,35

107

Gemeinsame Kathode

TO-247AD 3L

Weitere Informationen zu den Schottky-Dioden von Vishay und eine direkte Bestellmöglichkeit finden Sie auch auf unserer e-Commerce-Plattform www.rutronik24.com.

Kontakt Rutronik:

Hannah Metzner |Team Leader Corporate Product Marketing Power |  +49 7231 801 1551| Hannah.metzner@rutronik.com 
Verbessern Wirkungsgrad und Zuverlässigkeit bei Schaltnetzteilen: Vishays 1.200 V-SiC-Schottky-Dioden der 3. Generation - bei Rutronik
v. l. n. r.: D2PAK, TO-220AC 2L und TO-247AD 3L: Gen 3 ist in verschiedenen Gehäusen und Optionen erhältlich.

v. l. n. r.: D2PAK, TO-220AC 2L und TO-247AD 3L: Gen 3 ist in verschiedenen Gehäusen und Optionen erhältlich.

Vishays 1.200 V-SiC-Schottky-Dioden der 3. Generation im Shop ansehen
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