Know-How

Parallelschaltung mehrerer Bausteine wird überflüssig: Die neuen StrongIRFET™ 2 Leistungs-MOSFETs in 80 V und 100 V sind die neueste Generation der…

Derzeit ist 2D-SLC-NAND noch unangefochtener Platzhirsch für wechselbare Speichermedien. Doch in Kürze wird die 43-nm-Generation abgekündigt; kleinere…

Noch effizienter geht kaum: Das kompakte, hochintegrierte SiP des nRF9160 ermöglicht die unkomplizierte Umsetzung stromsparender LTE-Technologie und…

Die vierte industrielle Revolution ist dadurch gekennzeichnet, wie Information den Produktionsprozessen zur Verfügung gestellt bzw. aus ihnen gewonnen…

Der Aufbau einer leistungsfähigen Ladeinfrastruktur für die E-Mobility schafft ein neues Wachstumsfeld für den Einsatz hochwertiger…